絶縁型ゲート・ドライバ
絶縁型ゲート・ドライバ
アナログ・デバイセズの小型フォーム・ファクタ絶縁型ゲート・ドライバは、SiC（炭化ケイ素）および GaN（窒化ガリウム）などの電力スイッチ・テクノロジに求められる高速スイッチングとシステム・サイズ制約に合わせて設計されていますが、同時に IGBT（絶縁型ゲート・バイポーラ・トランジスタ）および MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）設定向けのスイッチング特性も信頼性高く制御します。これらの絶縁型ゲート・ドライバは、CMOS とモノリシック・トランス技術を組み合わせたアナログ・デバイセズの実績ある iCoupler 絶縁技術を利用して、コモンモード過渡耐圧（CMTI）性能を犠牲にすることなく超低伝搬遅延を実現します。高パルス忠実度のアーキテクチャにより、モータ出力効率は新しい効率レベルを満たすことができ、タイミング性能の安定性が増しますので電圧歪みが減り、さらにはソーラー・インバータの調波および出力容量が低下します。
アナログ・デバイセズの小型フォーム・ファクタ絶縁型ゲート・ドライバは、SiC（炭化ケイ素）および GaN（窒化ガリウム）などの電力スイッチ・テクノロジに求められる高速スイッチングとシステム・サイズ制約に合わせて設計されていますが、同時に IGBT（絶縁型ゲート・バイポーラ・トランジスタ）および MOSFET（金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）設定向けのスイッチング特性も信頼性高く制御します。これらの絶縁型ゲート・ドライバは、CMOS とモノリシック・トランス技術を組み合わせたアナログ・デバイセズの実績ある iCoupler 絶縁技術を利用して、コモンモード過渡耐圧（CMTI）性能を犠牲にすることなく超低伝搬遅延を実現します。高パルス忠実度のアーキテクチャにより、モータ出力効率は新しい効率レベルを満たすことができ、タイミング性能の安定性が増しますので電圧歪みが減り、さらにはソーラー・インバータの調波および出力容量が低下します。
カテゴリー詳細
安全性および規制適合に関する情報
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