絶縁型ゲート・ドライバ
絶縁型ゲート・ドライバ
アナログ・デバイセズの小型形状の絶縁ゲート・ドライバは、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）などのパワー・スイッチ技術で要求される高速スイッチングとシステム・サイズの制約に対応するよう設計されており、IGBT（絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）やMOSFET（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）のハイサイドおよびローサイド・スイッチ構成でスイッチング特性を確実に制御できます。これらの絶縁型ゲート・ドライバは、アナログ・デバイセズの実証済みのiCoupler®絶縁技術と高速CMOSおよびモノリシック・トランス技術の組み合わせにより、コモンモード過渡耐圧（CMTI）性能を犠牲にすることなく超低伝搬遅延を実現します。パルス忠実度が高いアーキテクチャにより、モータの電力効率は新たな要求効率レベルを満たすことができます。また、優れたタイミング性能の安定性により、電圧歪みを低減し、ソーラー・インバータの高調波や出力電力成分も低減します。
アナログ・デバイセズの小型形状の絶縁ゲート・ドライバは、SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）などのパワー・スイッチ技術で要求される高速スイッチングとシステム・サイズの制約に対応するよう設計されており、IGBT（絶縁ゲート型バイポーラ・トランジスタ）やMOSFET（金属酸化物半導体電界効果トランジスタ）のハイサイドおよびローサイド・スイッチ構成でスイッチング特性を確実に制御できます。これらの絶縁型ゲート・ドライバは、アナログ・デバイセズの実証済みのiCoupler®絶縁技術と高速CMOSおよびモノリシック・トランス技術の組み合わせにより、コモンモード過渡耐圧（CMTI）性能を犠牲にすることなく超低伝搬遅延を実現します。パルス忠実度が高いアーキテクチャにより、モータの電力効率は新たな要求効率レベルを満たすことができます。また、優れたタイミング性能の安定性により、電圧歪みを低減し、ソーラー・インバータの高調波や出力電力成分も低減します。
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{{modalTitle}}
{{modalDescription}}
{{dropdownTitle}}
- {{defaultSelectedText}} {{#each projectNames}}
- {{name}} {{/each}} {{#if newProjectText}}
-
{{newProjectText}}
{{/if}}
{{newProjectTitle}}
{{projectNameErrorText}}