HMC8415

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40 W (46 dBm), 9 GHz to 10.5 GHz, GaN Power Amplifier

数据手册 (Rev. A)
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3
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产品详情

  • High output power: 46 dBm typical at PIN = 23 dBm
  • High small signal gain: 32.5 dB typical
  • High power gain: 23 dB typical at PIN = 23 dBm
  • Frequency range: 9 GHz to 10.5 GHz
  • High power added efficiency: 40% typical at PIN = 23 dBm
  • Supply voltage: VDDxA/VDDxB = 28 V at 1000 mA
  • 6 mm × 6 mm, 40-lead LFSCP
HMC8415
40 W (46 dBm), 9 GHz to 10.5 GHz, GaN Power Amplifier
HMC8415LP6GE Functional Block Diagram HMC8415LP6GE Pin Configuration
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S-参数 1

评估套件

EVAL-HMC8415

HMC8415 评估板

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产品详情

EV1HMC8415LP6G 评估板由两层 PCB 组成，采用 10 mil 厚 Rogers 4350B 铜箔或安装在铝制散热器上的等效产品制造。该散热器有助于器件散热并向 PCB 提供机械支持。散热器上的安装孔便于轻松连接至较大的散热器，以便改善热管理性能。RFIN 和 RFOUT 端口填充有 2.9 mm 插口同轴连接器，且其各自的 RF 走线特征阻抗为 50 Ω。该板配有在器件的整个工作温度范围内适用的元件。由于 HMC8415LP6GE 适用于脉冲直流偏置操作，使用单独的漏极脉冲发生器 PCB 可简化评估过程，无需生成定制脉冲发生器。漏极脉冲发生器 PCB 有四层，采用 Isola 370HR 或等效产品制造。有关所需连接、通过漏极脉冲发生器实现直流偏置和典型性能的信息，请参阅 HMC8415LP6GE 数据手册。
EVAL-HMC8415
HMC8415 评估板

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