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HMC637BPM5E

推荐新设计使用

GaAs、pHEMT、MMIC、单正电源、DC至6 GHz、1 W功率放大器

数据手册 (Rev. A) 产品选型表

产品模型: 2

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产品详情

P1dB输出功率：27.5 dBm（典型值）
增益：15 dB（典型值）
输出IP3：40 dBm（典型值）
在V_DD= 12 V（335 mA，典型值）下自偏置，V_GG1（针对IDQ调整）和V_GG2（针对增益控制）具有可选偏置控制
50 Ω匹配输入/输出
32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装：25 mm²

参考资料

数据手册 1

HMC637BPM5E: GaAs, pHEMT, MMIC, Single Positive Supply, DC to 7.5 GHz, 1 W Power Amplifier Data Sheet (Rev.A) 12/08/2017

应用笔记 4

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

AN-2061: Wideband Bias Tee Design Using 0402, SMD Components 11/30/2020

AN-2591: When It Comes to Long-Term Reliability of RF Amplifier ICs, Focus First on Die Junction Temperature 08/05/2024

ADI 始终高度重视提供符合最高质量和可靠性水平的产品。我们通过将质量和可靠性检查纳入产品和工艺设计的各个范围以及制造过程来实现这一目标。出货产品的“零缺陷”始终是我们的目标。查看我们的质量和可靠性计划和认证以了解更多信息。

产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC637BPM5E	32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC637BPM5ETR	32-Lead LFCSP (5mm x 5mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

产品型号	产品生命周期	PCN

3月 19, 2021 - 20_0308 Epoxy Change at ASE Chungli Branch for PM5E and ACGZN Packages
		PCN20_0308_Form Material_Report Qualification Results Summary
HMC637BPM5E	量产
HMC637BPM5ETR	量产

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Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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