HMC1114

过期

10 W GaN功率放大器，2.7 GHz至3.8 GHz

数据手册 (Rev. A) 产品选型表

产品模型: 2

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产品详情

高饱和输出功率(PSAT)： 41.5 dBm
高小信号增益： 35 dB
高大信号增益： 25.5 dB
带宽： 2.7 GHz至3.8 GHz
高功率附加效率（PAE）： 54%
高输出IP3： 44 dBm
电源电压： VDD = 28 V (150 mA)
32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP_CAV封装

参考资料

数据手册 1

HMC1114: 10 Watt, GaN Power Amplifier, 2.7 GHz to 3.8 GHz Data Sheet (Rev.A) 11/05/2015

应用笔记 3

利用有源偏置控制器满足外部偏置射频/微波放大器的偏置要求 05/13/2020

AN-1604: Thermal Management Calculations for RF Amplifiers in LFCSP and Flange Packages 08/01/2019

AN-2591: When It Comes to Long-Term Reliability of RF Amplifier ICs, Focus First on Die Junction Temperature 08/05/2024

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产品型号	引脚/封装图-中文版	文档	CAD 符号，脚注和 3D模型
HMC1114LP5DE	32-Lead LFCSP_CAV (5mm x 5mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys
HMC1114LP5DETR	32-Lead LFCSP_CAV (5mm x 5mm w/ EP)	Material Declaration Reliablity Data	Ultra Librarian SamacSys

产品型号	产品生命周期	PCN

10月 30, 2018 - 18_0034 Discontinuance of Model Numbers: HMC1132LP5DE, HMC943ALP5DE, HMC1114LP5DE, HMC8500LP5DE and HMC1099LP5DE
		PDN18_0034_Form Material_Report
HMC1114LP5DE	过期
HMC1114LP5DETR	过期

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硬件生态系统

部分模型	产品周期	描述
HMC1114PM5E		> 10 W (42 dBm)， 2.7 GHz 至 3.8 GHz， GaN 功率放大器

工具及仿真模型

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S-参数 1

HMC1114LP5DE S-Parameters

Sys-Parameter Models for Keysight Genesys

Sys-Parameter models contain behavioral parameters, such as P1dB, IP3, gain, noise figure and return loss, which describe nonlinear and linear characteristics of a device.

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