ADGM1121
推荐新设计使用0 Hz/DC 至 18 GHz，DPDT MEMS 开关
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产品详情
- 频率范围为直流至 18 GHz
- 高达 64 Gbps 的高比特率能力
- 低插入损耗：
- 8 GHz 时为 0.5 dB（典型值）
- 16 GHz 时为 1.0 dB（典型值）
- 高输入 IIP3：73 dBm（典型值）
- 高 RF 功率处理能力：33 dBm（最大值）
- 导通电阻：1.9 Ω（典型值）
- 高直流电流处理能力：200 mA
- 高开关周期数：1 亿次循环（最少值）
- 快速开关时间：200 μs TON（典型值）
- 集成 3.3 V 驱动器，可通过并行接口和 SPI 进行简单控制
- 紧凑型集成无源元件，包括去耦和分流电阻器
- 小 5 mm × 4 mm × 1 mm，24 引脚塑料封装
- 温度范围：−40°C 至 +85°C
ADGM1121 是一款宽带双刀双掷 (DPDT) 开关，使用 ADI 公司的微机电系统 (MEMS) 开关技术制造。该技术可实现小尺寸、宽射频带宽、高线性和低插入损耗开关，工作频率低至 0 Hz/DC，使其成为满足各种射频和精密设备开关需求的理想解决方案。
集成驱动器芯片会产生高电压，从而以静电方式驱动可以由并行接口和串行外设接口 (SPI) 控制的开关。所有开关都是独立可控的。
该套件采用 24 引脚、5 mm × 4 mm × 1 mm 岸面栅格阵列 (LGA) 封装。为确保 ADGM1121 以最佳方式工作，请参见数据手册中的“关键运行要求”部分。
ADGM1121 的导通电阻 (RON) 性能受零件间差异、通道间差异、周期驱动、导通后建立时间、偏置电压和温度变化的影响。
应用
- ATE 负载和探针板
- 具有高速环回测试功能的直流
- 高速 SerDes、PICe Gen4/5、USB4、PAM4
- 继电器替代方案
- 可重新配置滤波器/衰减器
- 军用和微波无线电
- 蜂窝基础设施：5G mm 波
参考资料
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| 部分模型 | 产品周期 | 描述 |
|---|---|---|
| Automatic Test Equipment 1 | ||
| AD5522 | 量产 | 集成16位电平设置DAC的四参数测量单元 |
| Linear Regulators 7 | ||
| ADP150 | 量产 | 超低噪声、150 mA CMOS线性调节器 |
| ADP7112 | 推荐新设计使用 | 20 V、200 mA低噪声CMOS LDO线性稳压器 |
| ADP7118 | 推荐新设计使用 | 20 V、200 mA、低噪声、CMOS LDO线性稳压器 |
| LT3042 | 推荐新设计使用 | 20V、200mA、超低噪声、超高 PSRR RF 线性稳压器 |
| LT1962 | 推荐新设计使用 | 300mA、低噪声 、微功率 LDO 稳压器 |
| ADP7142 | 推荐新设计使用 | 40 V、200 mA、低噪声、CMOS LDO线性稳压器 |
| LT3045-1 | 推荐新设计使用 | 具 VIOC 控制功能的 20V、500mA、超低噪声、超高 PSRR 线性稳压器 |
| MEMS开关 3 | ||
| ADGM1144 | 推荐新设计使用 | 0 Hz/DC至18 GHz、SP4T、MEMS开关 |
| ADGM1304 | 推荐新设计使用 |
具有集成驱动器的 0 Hz/直流至 14 GHz 单刀四掷 MEMS 交换芯片 |
| ADGM1004 | 推荐新设计使用 |
带集成驱动器的0 Hz至13 GHz、2.5kV HBM ESD SP4T MEMS开关 |
工具及仿真模型
S-参数 1
IBIS 模型 1
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