Quantic X-Microwave

Analog Devices RF and microwave components are available as drop-in X-MWblocks®
from Quantic™ X-Microwave.

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ADGM1004

新規設計に推奨

MEMSスイッチ、単極4投、0 Hz/DC ～ 13 GHz、2.5kV HBM ESD耐性、ドライバ内蔵

データシート (Rev. E)
利用上の注意

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
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製品の詳細

  • 下は0 Hz（dc）まで完全に動作可能
    • オン抵抗: 2.9 Ω （typ）
    • オフ時リーク: 0.5nV（max）
  • −3 dB 周波数帯域幅
    • RF1、 RF4: 10.8 GHz (typ)
    • RF2、 RF3: 13 GHz (typ)
  • RF 性能特性
    • 挿入損失: 0.45 dB (typ) @ 2.5 GHz
    • アイソレーション: 24 dB (typ) @ 2.5 GHz
    • IP3: 67 dBm (typ)
    • RF入力電力： 32dBm (max)
  • 動作寿命: 10億サイクル（min）
    • ハーメチック・シールされたスイッチ接触部
    • オン・スイッチング時間: 75μs (max)
  • 静電気放電(ESD) 人体モデル（HBM）定格
    • RF1 ～ RF4とRFCピン: 5 kV
    • 他の全てのピン: 2.5 kV
  • 内蔵ドライバにより外部ドライバは不要
    • 電源電圧: 3.0 V ～ 3.6 V
    • CMOS/LVTTL互換
    • パラレルおよびSPIインターフェース
    • 別々に制御可能なスイッチ
  • スイッチは無電源時には開放状態
  • 全RFx端子に対しフロート・ノードを防止する必要有り
  • 5 mm × 4 mm × 1.45 mmの24ピンLFCSPを採用
  • 動作温度範囲: 0°C 〜 85°C
ADGM1004
MEMSスイッチ、単極4投、0 Hz/DC ～ 13 GHz、2.5kV HBM ESD耐性、ドライバ内蔵
ADGM1004 Functional Block Diagram ADGM1004 Pin Configuration
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