ADGM1121

新規設計に推奨

0Hz/DC～18GHzで動作するDPDT MEMSスイッチ

データシート (Rev. 0)
利用上の注意

アナログ・デバイセズ社は、提供する情報が正確で信頼できるものであることを期していますが、その情報の利用に関して、あるいはその利用によって生じる第三者の特許やその他の権利の侵害に関して一切の責任を負いません。また、アナログ･デバイセズ社の特許または特許の権利の使用を明示的または暗示的に許諾するものでもありません。仕様は予告なしに変更する場合があります。本紙記載の商標および登録商標は、各社の所有に属します。


本データシートの英語以外の言語への翻訳はユーザの便宜のために提供されるものであり、リビジョンが古い場合があります。最新の内容については、必ず最新の英語版をご参照ください。

なお、日本語版のデータシートは基本的に「Rev.0」（リビジョン0）で作成されています。そのため、英語版が後に改訂され、複数製品のデータシートがひとつに統一された場合、同じ「Rev.0」の日本語版のデータシートが異なる製品のデータシートとして表示されることがあります。たとえば、「ADM3307E」の場合、日本語データシートをクリックすると「ADM3311E」が表示されます。これは、英語版のデータシートが複数の製品で共有できるように1本化され、「ADM3307E/ADM3310E/ADM3311E/ADM3312E/ADM3315E」（Rev.G）と改訂されたからで、決して誤ってリンクが張られているわけではありません。和文化されたデータシートを少しでも有効に活用していただくためにこのような方法をとっておりますので、ご了解ください。
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製品の詳細

  • DC～18GHzの周波数範囲
  • 最大64Gbpsの高ビット・レート機能
  • 低挿入損失：
  • 8GHzで0.5dB（代表値）
  • 16GHzで1.0dB（代表値）
  • 高入力IIP3：73dBm（代表値）
  • 大RF電力処理：33dBm（最大値）
  • オン抵抗：1.9Ω（代表値）
  • 大DC電流処理：200mA
  • 高スイッチ・サイクル数：1億サイクル（最小値）
  • 高速スイッチング時間：200μs TON（代表値）
  • 3.3Vドライバ内蔵により、パラレル・インターフェースやSPIを使用して簡単に制御可能
  • デカップリング抵抗やシャント抵抗などの受動部品を内蔵してスペースを節約
  • 小型の5mm × 4mm × 1mm 24ピン・プラスチック・パッケージ
  • 温度範囲：−40°C～+85°C
ADGM1121
0Hz/DC～18GHzで動作するDPDT MEMSスイッチ
ADGM1121 Chip Image ADGM1121 Functional Block Diagram ADGM1121 Pin Configuration
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ハードウェア・エコシステム

製品モデル 製品ライフサイクル 詳細
Automatic Test Equipment 1
AD5522
製造中 パラメータ測定ユニット、クワッド、レベル設定用16ビットDAC内蔵
Linear Regulators 7
ADP150
製造中 リニア・レギュレータ、150mA、超低ノイズ、CMOS
ADP7112
新規設計に推奨

LDOリニア・レギュレータ、20V、200mA、ローノイズ、CMOS

ADP7118
新規設計に推奨 20V、200mA、低ノイズ、CMOS LDOリニア電圧レギュレータ
LT3042
新規設計に推奨 20V、200mA、超低ノイズ、超高PSRRのRFリニア・レギュレータ
LT1962
新規設計に推奨 300mA、低ノイズ、マイクロパワーLDOレギュレータ
ADP7142
新規設計に推奨 40V、200mA、低ノイズ、CMOS LDOリニア電圧レギュレータ
LT3045-1
新規設計に推奨 20V、500mA、超低ノイズ、 VIOC制御を備える超高PSRRリニア・レギュレータ
MEMS スイッチ 3
ADGM1144
新規設計に推奨 MEMSスイッチ、0Hz/DC〜18GHz、SP4T
ADGM1304
新規設計に推奨

0Hz/DC～14GHz、単極、4投ドライバ内蔵MEMSスイッチ
ADGM1004
新規設計に推奨 MEMSスイッチ、単極4投、0 Hz/DC ～ 13 GHz、2.5kV HBM ESD耐性、ドライバ内蔵
Modal heading
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ツールおよびシミュレーション

Sパラメータ 1

IBISモデル 1

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