DS1245Y

量产

1024k非易失SRAM

数据手册 (Rev. 4)

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产品详情

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
替代128k x 8易失静态RAM、EEPROM或闪存
没有写次数限制
低功耗CMOS
70ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
±10% V_CC工作范围(DS1245Y)
可选择±5% V_CC工作范围(DS1245AB)
可选的工业级温度范围为-40°C至+85°C，指定为IND
JEDEC标准的32引脚DIP封装
PowerCap模块(PCM)封装
- 表面贴装模块
- 可更换的即时安装PowerCap提供备份锂电池
- 所有非易失SRAM器件提供标准引脚
- 分离的PowerCap用常规的螺丝起子便可方便拆卸

参考资料

数据手册 2

DS1245AB-DS1245Y: 1024k Nonvolatile SRAM Data Sheet (Rev.4) 11/23/2010

2664: 1024k非易失SRAM Data Sheet 01/01/1900

可靠性数据 1

DS1245Y Reliability Data 01/12/2023

设计笔记 4

Maxim产品中的内嵌锂电池\r\n 07/24/2011

非易失存储器的替代规则 04/27/2011

Timing Considerations When Using NVSRAM 03/20/2006

Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM 09/11/2008

技术文章 1

NV SRAM Frequently Asked Questions 05/14/2002

这是最新版本的数据手册

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