DS1225AD

量产

64k非易失SRAM

数据手册 (Rev. 4)

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产品详情

在没有外部电源的情况下最少可以保存数据10年
掉电期间数据被自动保护
直接替代8k x 8易失静态RAM或EEPROM
没有写次数限制
低功耗CMOS操作
JEDEC标准的28引脚DIP封装
70ns的读写存取时间
第一次上电前，锂电池与电路断开、维持保鲜状态
±10% V_CC工作范围(DS1225AD)
可选择±5% V_CC工作范围(DS1225AB)
可选的-40°C至+85°C工业级温度范围，指定为IND

参考资料

数据手册 2

DS1225AB-DS1225AD: 64k Nonvolatile SRAM Data Sheet (Rev.4) 11/09/2010

2646: 64k非易失SRAM Data Sheet 01/01/1900

设计笔记 4

Maxim产品中的内嵌锂电池\r\n 07/24/2011

非易失存储器的替代规则 04/27/2011

Timing Considerations When Using NVSRAM 03/20/2006

Low-Temperature Data Retention in Nonvolatile SRAM 09/11/2008

技术文章 1

NV SRAM Frequently Asked Questions 05/14/2002

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